Ing. Janis Breuer
Angestellt, Senior Product Development Engineer, Qualcomm
Abschluss: Master of Science, Hochschule München
München, Deutschland
Werdegang
Berufserfahrung von Janis Breuer
Bis heute 2 Jahre und 6 Monate, seit Dez. 2021
Senior Product Development Engineer
Qualcomm
Bis heute 5 Jahre und 3 Monate, seit März 2019
Product Development Engineer
Qualcomm
7 Monate, Mai 2018 - Nov. 2018
Master Thesis
Intel Deutschland GmbH
Master Thesis: "Mathematical derivation and investigation of a method for extraction of disturbances in RF transmission paths" Final mark: 1.0
1 Jahr und 3 Monate, Feb. 2017 - Apr. 2018
Working Student
KETEK GmbH
Simulation of field emission electron sources. Authored the publication “Extraction of the current distribution out of saturated integral measurement data of p-type silicon field emitter arrays”, Journal of Vacuum Science & Technology B 36, 051805 (2018). Co-authored the publication “Influence of adsorbates on the performance of a field emitter array in a high voltage triode setup”, Journal of Applied Physics 122, 124503 (2017).
4 Monate, Okt. 2016 - Jan. 2017
Bachelor Thesis
KETEK GmbH
Bachelor thesis: “Extraction of the current distribution out of saturated integral measurement data of p-type silicon field emitter arrays” Final mark: 1.0
10 Monate, Okt. 2015 - Juli 2016
Working Student
Max-Planck-Institut für Physik
Development of radiation hard silicon detectors for ATLAS at LHC, CERN Co-authored the publication “Thin n-in-p planar pixel modules for the ATLAS upgrade at HL-LHC”.
Ausbildung von Janis Breuer
1 Jahr und 9 Monate, März 2017 - Nov. 2018
Micro- and nanotechnologies
Hochschule München
Quantum mechanics, Semiconductor solid-state physics
3 Jahre und 5 Monate, Okt. 2013 - Feb. 2017
Engineering Physics
Hochschule München
Sprachen
Englisch
Fließend
Deutsch
Muttersprache