Gert Jaschke
Angestellt, Prozessingenieur Plasma Prozesse, First Sensor AG
Berlin, Deutschland
Werdegang
Berufserfahrung von Gert Jaschke
1 Jahr und 4 Monate, Jan. 2020 - Apr. 2021
Prozessingenieur für Dünnschicht-Prozesse
Oxford PV Germany GmbH
8 Jahre und 9 Monate, Apr. 2011 - Dez. 2019
Entwicklungsingenieur PVD/CVD/ALD
Solibro GmbH (Hanergy Holding Group)
Optimierung und Neueinführung von dünnen transparenten Oxid-, Barriere-, Buffer-, und Metallschichten auf Glasssubstraten; Schichtabscheidende Verfahren: Physical Vapor Deposition PVD, Low Pressure Chemical Vapor Deposition LPCVD, Atomic Layer Deposition (ALD), Chemical Bath Deposition (CBD)
1 Jahr und 7 Monate, Sep. 2009 - März 2011
Technischer Angestellter
Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik Berlin
konzeptionelle Entwicklung und Evaluierung einer neuen produktionsreifen Molekular-Strahl Epitaxie-(MBE)-Anlage; Erarbeitung und Optimierung von Instandhaltungsabläufen der MBE-Anlagen; Implementierung von Abscheidungsprozessen für planares- und nanowire-Wachstum mit dem Ziel der Effizienzsteigerung von grünen Leuchtdioden
3 Jahre, Mai 2006 - Apr. 2009
Entwicklungsingenieur/Einzelprozessexperte
Qimonda GmbH & Co.OHG Dresden
Entwicklung bzw. Optimierung von Abscheidungsproszessen dünner Metalloxid-Schichten mittels Atomic Layer Deposition (ALD) und Metal Organic Chemical Vapour Deposition (MOCVD) Einsatzgebiet: Transitoren in der CMOS-Technologie, Kapazitäten im DRAM-Bereich, Flash-Anwendungen; Prozessüberführung aus der Entwicklung in die Produktion; Prozessüberwachung
6 Jahre und 6 Monate, Nov. 1999 - Apr. 2006
Entwicklungsingenieur
Infineon Technologies AG München
12/2004 – 04/2006 Assignee bei IMEC Leuven Belgien für Matel-Gate und Metal-Oxide Abscheidung in der CMOS Technologie; Meßtechnik; 12/2000 – 11/2004 Forschungslabor für III-V Halbleiter Technologie (Molekular Strahl Epitaxie) Wartung, Inbetriebnahme und technologische Weiterentwicklung von MBE-Anlagen; Entwicklung langwelliger1500nm InGaAsN-Laser (VCSEL) zur Datenübertragung; 11/1999 – 11/2000 Meßtechnik an nichtflüchtigen ferroelektrischen (SrBiTaO) Datenspeichern
1 Jahr und 2 Monate, Mai 1990 - Juni 1991
Technischer Angestellter
Fraunhofer-Arbeitsgruppe für Integrierte Schaltungen, Erlangen
Betreuung und Ausarbeitung von Praktikumsversuchen, Messtechnikverantwortlicher für Si und GaAs Halbleiter
Ausbildung von Gert Jaschke
8 Jahre und 1 Monat, Okt. 1991 - Okt. 1999
Wirtschaftswissenschaften
Fernuniversität Hagen
Produktionswirtschaft, Operation Research, Wirtschaftsinformatik
4 Jahre und 2 Monate, Sep. 1985 - Okt. 1989
Technische Physik
Naturwissenschaftlich Technische Fachhochschule Prof. Dr. Grübler, Isny/Allgäu
Physikalische Elektronik
1 Jahr und 11 Monate, Sep. 1983 - Juli 1985
Naturwissenschaftlich Technische Akademie Prof. Dr. Grübler Isny/Allgäu
Erwerb der Fachhochschulreife und des Physikalisch Technischen Assistenten (PhyTA)
Sprachen
Deutsch
Muttersprache
Englisch
Fließend
Niederländisch
Grundlagen
Russisch
Grundlagen