Dr. Richard Geiger

Team Lead RF & Analog Device Modeling Group

Enablement hochmoderner Halbleitertechnologien (bulk CMOS, FinFET, SOI und III-V) für RF und mmW Anwendungen - RF und mmW Modellierung von MOSFET Switch Transistoren - On-Wafer DC und S-Parameter Messungen - Layout Design und Verifizierung von Teststrukturen zur Modellierung - Entwicklung von PCells - TCAD Simulationen zur Entwicklung von innovativen Halbleiterbauelementen - Automatisierung von Mess- und Analyseprozessen

Thema: Demonstration eines Group IV-Lasers auf Basis von hoch-verspanntem Germanium. Modellierung, Design, Fabrikation und optische Charakterisierung von photonischen Bauteilen.

Betreuer: Prof. Dr. Gerhard Abstreiter, Prof. Dr. Dominique Bougeard Diplomarbeitstitel: "Towards an efficient silicon-based LED with germanium islands as active emitters". Nanofabrikation und strukturelle, elektrische sowie optische Charakterisierung von Silizium-basierten LEDs mit Germanium-Quantenpunkten als aktive Emitter in elektrisch-kontaktierten photonischen Kristallen.

Entwurf neuer Designs für Printed-Circuit-Boards (PCB) Zeichnen von Lithographiemasken Nasschemisches Ätzen von PCBs

Entwicklung, Erprobung und Anwendung einer verbesserten Massenspektrometriesoftware für einen modernen Time-to-Digital-Converter.

Halbleiterphysik Polymerphysik