Dr. Bernd Burchard

Angestellt, VP IP-Management, Elmos Semiconductor AG

Dortmund, Deutschland

Fähigkeiten und Kenntnisse

General Management
IP-Management
Technologiemanagement
Problemlösungskompetenz
Qualitätsmanagement
Business Development
Business Reengineering
Projektmanagement
Prozessoptimierung
Audit
ISO 9000
Führungserfahrung
Produktmanagement
Changemanagement
Beratung
Strategie
Management
Coaching
Projekt
Projektplanung
Prozessmanagement
Innovationsmanagement
Strategieentwicklung
Digitalisierung
Prozesse
Mergers & Acquisitions
FMEA
Business Process Management
Teamfähigkeit
Kommunikationsfähigkeit
Kreativität
Mikroelektronik

Werdegang

Berufserfahrung von Bernd Burchard

  • Bis heute 7 Jahre und 1 Monat, seit Mai 2017

    VP IP-Management

    Elmos Semiconductor AG

    Verantwortlich für alle Aspekte des IP-Managements der Elmos-Gruppe. (Start 2010 als Nebenverantwortungsbereich zum VP Production Strategy)

  • 7 Jahre und 9 Monate, Sep. 2009 - Mai 2017

    VP- Production Strategy

    Elmos Semiconductor AG

    Business Reengineering weltweiter Produktionsaktivitäten der ELMOS Gruppe

  • 2 Jahre und 1 Monat, Dez. 2007 - Dez. 2009

    Quality Director

    Elmos Semiconductor AG

    Verantwortlicher Qualitätsbeauftragter für das gesamte Unternehmen und Leiter des Unternehmensbereichs Qualitätswesen

  • 1 Jahr und 1 Monat, Nov. 2006 - Nov. 2007

    Director Failure Analysis Laboratory

    Elmos Semiconductor AG

    Verantwortlicher Leiter der Kundenqualitätsbetreuung des Unternehmens und Leitung des Fehleranalyselabors.

  • 2 Jahre und 2 Monate, Sep. 2005 - Okt. 2007

    Customer Quality Manager

    Elmos Semiconductor AG

    Leiter der Kundenqualitätsbetreuung

  • 7 Monate, Feb. 2005 - Aug. 2005

    Manager Sales and Design Controlling

    Elmos Semiconductor AG

    Leitung des Controllings für Entwicklungs- und Verkaufsprozesse

  • 2 Monate, Dez. 2004 - Jan. 2005

    Sales Engineer

    Elmos Semiconductor AG

  • 2 Jahre und 1 Monat, Nov. 2002 - Nov. 2004

    Lecturer

    Ruhr-Universität Bochum

    Lecturer an der Fakultät für Physik und Astronomie Wissenschaftlicher Schwerpunkt: Quantentechnologien, Leistungsbauelemente und Electronic Screening nuklearer Prozesse

  • 4 Monate, Nov. 2001 - Feb. 2002

    CTO

    DIRC Technologie GmbH

  • 2 Jahre und 11 Monate, Dez. 1998 - Okt. 2001

    Leiter Speech Interface Group

    Infineon Technologies

    General Management der Speech Interface Goup, Sprachtechnologie auf Basis künstlicher Intelligenz (AI) für integrierte Mikrosysteme

  • 10 Monate, Feb. 1998 - Nov. 1998

    System Defintion Manager (Buisiness Development)

    SIEMENS

    Aufgabe war: Business Development Ergebnis: Mitbegründer des europäischen EUREKA Projektes ITEA (Vorläufer des jetzigen ITEA3 Projektes) Funktion: Mitglied der ITEA starting group web: www.itea3.org

  • 2 Jahre und 4 Monate, Okt. 1995 - Jan. 1998

    Director Circuit Design Video Controller

    SIEMENS

    Die Arbeit fokussierte sich auf den Schaltungsentwurf und den Serienanlauf sowie das Projektmanagement in der Entwicklung von Graphic-Controllern für TV Anwendungen im Consumer-Bereich.

  • 1 Jahr und 1 Monat, Okt. 1994 - Okt. 1995

    Project Leader PDC Controller

    SIEMENS

    Entwicklung einer integrieten Schaltung zur Steuerung von Videorecordern mittels Showview mit einem Marktanteil >90%.

  • 3 Jahre und 9 Monate, Juli 1990 - März 1994

    Assistant Professor

    FernUniversität in Hagen

    Die wissenschaftliche Arbeit fokussierte sich auf optoelektronische Bauelemente auf Basis von Wide-Band-Gap-Materialien und Hochtemperatur-Elektronik Bevorzugte Materialien: Diamant, SiC; Technologischer Fokus: Bauteiltheorie, Bauteilsimulation, Bauteilkonstruktion, Prozessentwcklung, Reinraumtechnik

  • 11 Monate, Sep. 1992 - Juli 1993

    Lehrbeauftragter "Elektronische Bauelemente und Schaltungen der Energietechnik

    Fachhochschule Südwestfalen (damals Märkische Fachhochschule )

  • 2 Jahre und 9 Monate, Okt. 1987 - Juni 1990

    MOS-Designer & Testingenieur

    SIEMENS

    1. Patent für einen skalierbaren PCB Testbus basierend auf dem "boundary scan" Prinzip.

Ausbildung von Bernd Burchard

  • 3 Jahre und 10 Monate, Juni 1990 - März 1994

    Elektrotechnik

    FernUniversität in Hagen

    Auszeichnung für die beste Dissertation: "Optoelektronische Bauelemente und Bauelementgrundstrukturen aus Diamant" Bewertung: summa cum laude

  • 4 Jahre und 10 Monate, Okt. 1982 - Juli 1987

    Elektrotechnik und Physik

    Ruhr-Universität Bochum

    Diplomarbeit (Bewertung 1,0) "Schieberegister im Gigabitbereich-Hochfrequenzaufbautechnik und Funktionsanalyse" Studienschwerpunkte: Halbleiterbauelemente und-schaltungstechnik, Supraleitung, Quantenmechanik, Feldtheorie

Sprachen

  • Deutsch

    Muttersprache

  • Englisch

    Fließend

  • Französisch

    Grundlagen

  • Italienisch

    Grundlagen

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